MEMORIA RAM DDR4 8GB 3200MHZ KINGSTON

Descripción

• Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V típico

• VDDQ = 1,2 V típico

• VPP = 2,5 V típico

• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V

• Terminación integrada (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, estroboscópicas y de máscara

• Autoactualización de bajo consumo (LPASR)

• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos

• Generación y calibración de VREFDQ en matriz

• Rango único

• EEPROM de detección de presencia (SPD) serial I2 integrada

• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno

• Se corrigió el corte de ráfaga (BC) de 4 y la longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)

• BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)

• Topología de paso

• Comando de control terminado y bus de direcciones

• PCB: Altura 1,23” (31,25 mm)

• Cumple con RoHS y libre de halógenos.